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一(yī)電(diàn)蓄電(diàn)池容量降低(dī)的(de) ♣↓ 原因

更新時(shí)間(jiān):2024-10-25點擊次數(shù):88

一(yī)電(diàn)蓄電(diàn)池容量降低(dī)的(de)原因

一(yī)電(diàn)蓄電(diàn)池容量降低(dī)是(shì)→¥一(yī)個(gè)複雜(zá)的(de)問(wèn)題,涉及多‍∏¶β(duō)種因素。理(lǐ)解這(zhè↑α)些(xiē)原因不(bù)僅有(yǒu)助于我'∑們更好(hǎo)地(dì)維護和(hé)保養蓄電δ§<♠(diàn)池,還(hái)能(néng)提高(gāo)我們對(duì)電(dià≈±₽★n)池技(jì)術(shù)的(de)認識。以下(xià)是(shì)對(duì)一(yī)電(d<>iàn)蓄電(diàn)池容量降低(dī)™♠✔✔原因的(de)詳細分(fēn)析。

極闆硫化(huà)

極闆硫化(huà)是(shì)導緻蓄電(diàn)池容量降低(dī)的(de)×★←​主要(yào)原因之一(yī)。所謂極闆硫化(huà),是(shì)€ 指極闆表面逐漸生(shēng)成的(de)白(bái)色粗大(dàλ₹<↔)晶粒硫酸鉛。這(zhè)種晶粒較硬,很(hěn)難溶于電(diàn)解液,±φ•且在充電(diàn)時(shí)也(yě)不(bù)易♣&←↓與電(diàn)解液起還(hái)原反應,從(cóng)而減少(sh§α‌®ǎo)了(le)活性物(wù)質。此外('≈σwài),粗晶粒硫酸鉛會(huì)堵塞極闆孔隙,使電(dià♠ n)解液滲入困難,增加了(le)內(nèi)阻,導緻極闆中參加反應的(de→  ↔)活性物(wù)質減少(shǎo),蓄電(diàn)池容量降低(dī)。

極闆硫化(huà)的(de)原因有(yǒu)多(duō)種:

1. **蓄電(diàn)池長(cháng)期處于完全放(±>∑fàng)電(diàn)或半放(fàng)電(diàn)狀态**≠★:由于氣溫變化(huà),當溫度高(gāo)時(shí),極闆上(shàng)一(yī)部分(fē& •n)硫酸鉛溶入電(diàn)解液;溫度降低(dī)時(shí),溶于電↕ε(diàn)解液的(de)硫酸鉛會(huì)重新析出,産生(shēng)再結晶,形成粗大(dà¶π™•)的(de)晶粒沉附在極闆上(shàng)。
2. **蓄電(diàn)池液面降低(dī)**:使極闆上(shàng)緣外(wài)露與空(♣¥εkōng)氣接觸氧化(huà),氧化(huà)部分(fēn)φ÷σ‍在機(jī)械行(xíng)駛颠簸中與電(diàn)解液接觸,也(yě)會(huì)産生(÷"shēng)粗晶粒硫酸鉛,使極闆上(shàng)部硫化(huà)。
3. **電(diàn)解液的(de)比£↓☆♦重過大(dà)**:放(fàng)電(diàn)電(diàn)流×≥過大(dà)且氣溫過高(gāo),使化(huà)學反應加劇(jù),α‌≤‌産生(shēng)的(de)硫酸鉛很(hěn)快(ku↑δài)沉積在極闆上(shàng),也(yě)促使硫化(™↑huà)。

為(wèi)防止極闆硫化(huà),應經常保持蓄電£ $→(diàn)池在充足電(diàn)的(de)狀态,電(di'§✘εàn)解液應淹沒極闆上(shàng)緣,并根據地(dì)區(qū)和(♠​↕✘hé)季節的(de)不(bù)同正确地(dì)選擇電( ™¶‌diàn)解液比重。

自(zì)行(xíng)放(fàng)電(diàn)

自(zì)行(xíng)放(fàng)電(diàn)是(shì)蓄電(diàn)池在放(fàng$↑✘λ)置不(bù)用(yòng)時(shí)逐漸失去(qù)電(diàn)量的(de)δ 現(xiàn)象,這(zhè)是(shì)§☆不(bù)可(kě)避免的(de)。在正常情況下(↑¶→≤xià),每天放(fàng)電(diàn)率不(bù)應超過0.35%~0.5%。自α≠(zì)行(xíng)放(fàng)電(diàn)的(de)主要(yào✘δ)原因包括:

1. **極闆或電(diàn)解液中含有(' αyǒu)雜(zá)質**:雜(zá)質與極闆間(jiān)或不(bù)同雜(zá≥±​)質間(jiān)産生(shēng)了(le)÷ 電(diàn)位差,形成一(yī)個(gè)局部電(diàn)池,通(tōng)過↑γ電(diàn)解液構成回路(lù),産生(shēng)局部$≈&↔電(diàn)流,使蓄電(diàn)池放(fàng)電(diàn)。λ™σ©
2. **隔闆破裂**:導緻正負極闆短(duǎn)路(lù)。
3. **蓄電(diàn)池殼表面上(shàng)有(yǒu)電(diàn)解液或水(shuαα∏♥ǐ)**:在極樁間(jiān)成為(wèi)導體(tǐ),導緻蓄電(diàn)池放(fàn α₩g)電(diàn)。
4. **活性物(wù)質脫落過多(duō)**:并沉積在電(diàn)池底部,使極闆短(d≠‍★uǎn)路(lù)造成放(fàng)電(diàn)。

為(wèi)減少(shǎo)自(zì)行(xíng)放(≈∞">fàng)電(diàn),除蓄電(diàn)池制(zhì)造材料應盡量純₩γΩ淨外(wài),在使用(yòng)中必須經常保持殼表面和(hé)樁頭清潔,加注的(de)電(α¥→diàn)解液必須為(wèi)化(huà)學純淨硫酸ε≥和(hé)蒸餾水(shuǐ)。

放(fàng)電(diàn)電(diàn)流的(de)$©&☆影(yǐng)響

放(fàng)電(diàn)電(diàn)流的♦∏(de)大(dà)小(xiǎo)對(duì)蓄電(diàn)池容量有(yǒu)直接影(yǐn∞¶g)響。如(rú)果放(fàng)電(diàn)✘↓¶電(diàn)流過大(dà),極闆表面活性物(wù)質的(de)孔隙會(huì)很(hěn)快(©∏¥kuài)被生(shēng)成的(de)硫酸鉛所堵塞,使極闆φ‍‌₩內(nèi)層的(de)活性物(wù)質不(bù)能(néng)參加化σ<™(huà)學反應,因而使蓄電(diàn)池容量減少"® (shǎo)。此外(wài),放(fàng)電(diàn)電(diànδ​)流增大(dà),化(huà)學反應速度§•加劇(jù),也(yě)加速了(le)極闆的(de)硫化(huà)過 ®£ 程。

溫度的(de)影(yǐng)響

溫度是(shì)影(yǐng)響蓄電(diàn)池容量的(de)另一(yī)個(g↓ ≠φè)重要(yào)因素。電(diàn)解液溫度如(rú)果過低(dī),電(diàn)解液'≈€黏度增大(dà),滲透和(hé)擴散能(néng)力降低(dī),電(d♣✔iàn)池內(nèi)阻增加,蓄電(diàn)池端電(diàn)壓降低(dī),容量也(y♠±¥ě)因此減少(shǎo)。一(yī)般情況下(xià),溫度€•每降低(dī)1℃,緩慢(màn)放(fàng)電(diàn)時(shíλ± ),容量約減小(xiǎo)1%;大(dà)電(diàn)流放(↑¥fàng)電(diàn)時(shí),容量約減小(xiǎo)2%。β₽✔

電(diàn)解液密度的(de)影(yǐng)響

在一(yī)定範圍內(nèi),适當加大(dà)電(diàn)解液密度,可(kě§ ≤)以提高(gāo)電(diàn)解液滲透速度和(hé)蓄電(diàn)池的(de)電(di§≥♦àn)動勢,并減小(xiǎo)內(nèi)阻,使蓄電(dià±δ€n)池容量增大(dà)。這(zhè)是(shì)因為(wèi₽≠α)電(diàn)解液密度的(de)增加,可(kě)以提高(gāo)活性物(wù)質向極闆±₩內(nèi)的(de)滲透能(néng)力。但(dàn)如(rú)果相(xiàn↕ ∏g)對(duì)密度超過某一(yī)限度,反而會(huì)使滲透速度±↓降低(dī),內(nèi)阻增加,極闆容易硫化(h♣ ®πuà),使容量減少(shǎo)。

電(diàn)解液密度過高(gāo),還(hái)會(huì)使蓄電(diàn)池自(zì)行​±φ(xíng)放(fàng)電(diàn)速度加快(kuài),并對(duì)極闆栅架和(✘&®hé)隔闆的(de)腐蝕作(zuò)用(y☆•òng)加劇(jù),縮短(duǎn)蓄電(diàn)池使用(yòng)壽命。因此,在選取合适♣γ≤的(de)電(diàn)解液濃度時(shí₽∞),必須與實踐的(de)應用(yòng)領☆☆ &域相(xiàng)結合。

殼體(tǐ)裂紋或封口膠破裂

蓄電(diàn)池殼體(tǐ)裂紋或封口膠破裂也(yě)¶δ€會(huì)導緻電(diàn)池容量降低(dī)。裂紋将使電(diàn)解液漏出,液面∑Ω★π降低(dī)。如(rú)果內(nèi)部間(jiā±Ω≈n)壁有(yǒu)細微(wēi)裂縫,兩單池相(xiàng)通(tō©&ng),還(hái)會(huì)使電(diàn)壓下(xià)降。造ε¶≤成裂紋的(de)主要(yào)原因有(yǒu)電(diàn)池座螺釘旋得(de)過緊、敲打過猛、←★通(tōng)氣孔堵塞、氣體(tǐ)不(bù)能(néng)放(fàng)出使單格壓力過大(✔↑dà)、冬季凍裂以及行(xíng)車(chē)中震動過大(dà)等。

極闆活性物(wù)質脫落

蓄電(diàn)池在正常使用(yòng)和(hé)充放(fàng)電(diàn)₽←Ω♣過程中,極闆活性物(wù)質的(de)體(tǐ)積™¥ 會(huì)不(bù)斷地(dì)膨脹和(h♥±×é)收縮,會(huì)引起活性物(wù)質緩慢(màn)脫落。如(rú)果使用(yòng)不(bù£↓↕σ)當,如(rú)充電(diàn)時(shí)電(diàn)流過大(dà)或溫度過高(gāo)、經常₹∑過充電(diàn)、放(fàng)電(diàn)時(shí)電♣∏♠(diàn)流過大(dà)(例如(rú)接入起動電(diàn)機(jī)↔¶β時(shí)間(jiān)過長(cháng >‌♠)),會(huì)使極闆活性物(wù)質迅速大(dà)量脫落,造成極闆短(du​✔←→ǎn)路(lù),導緻蓄電(diàn)池容量降低(dī)。

維護不(bù)當

蓄電(diàn)池的(de)維護保養也(yě)是(shì)影‍$'✔(yǐng)響其容量的(de)重要(yào)因素。如(rú)果蓄電(diàn)池長(c ‌háng)期虧電(diàn)、電(diàn)解液液面高(gāo)度不(bùα≥₩)足,或未充足電(diàn)保存較長(cháng)時(shí)間(jiān),都(♠σαdōu)會(huì)使極闆産生(shēng)硫化(huà),從↕$(cóng)而降低(dī)容量。此外(wài),電(diàn•¶♦≤)解液受金(jīn)屬或雜(zá)物(wù)污染、電(diàn)池表面不(bù)清潔等,也(yě•≈ ♦)會(huì)使電(diàn)池産生(shēng)自(∏‌zì)放(fàng)電(diàn)而減少(shǎo)容量。

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